| 日盲探测器高Al组分n-Al_(0.6)Ga_(0.4)N欧姆接触(英文) |
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| 引用本文： | 朱雁翎,杜江锋,罗木昌,赵红,赵文伯,黄烈云,姬洪,于奇,杨谟华. 日盲探测器高Al组分n-Al_(0.6)Ga_(0.4)N欧姆接触(英文)[J]. 半导体学报, 2008, 29(9) |
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| 作者姓名： | 朱雁翎 杜江锋 罗木昌 赵红 赵文伯 黄烈云 姬洪 于奇 杨谟华 |
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| 作者单位： | [1]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054 [2]重庆光电技术研究所,重庆400060 |
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| 摘 要： | 研究了应用于日盲探测器的高Al组分Si掺杂n型Al0.6Ga0.4N与两层金属层Ti（20nm）/Al（100nm）之间的欧姆接触.在制作金属电极前用煮沸王水对样片进行表面预处理,金属制作后再在N2氛围中做快速热退火处理.使用高精度XRD测试样品表面特性,并对不同温度下的情况进行比较.样品的比接触电阻率是用环形传输线模型通过I-V测试得到.670℃下90s退火得到最优ρc为3.42×10-4Ω·cm^2.将该处理方法应用到实际的背照式AlGaN p-i-n日盲探测器中,探测器的光谱响应度和反向特性等参数得到很大的优化.
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| 关 键 词： | 高铝n-AlGaN 欧姆接触 退火 背光照 pin日盲探测器 |
Ohmic Contacts to n-Type Al_(0.6)Ga_(0.4)N for Solar-Blind Detectors |
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| Zhu Yanling,Du Jiangfeng,Luo Muchang,Zhao Hong,Zhao Wenbo,Huang Lieyun,Ji Hong,Yu Qi,, Yang Mohua. Ohmic Contacts to n-Type Al_(0.6)Ga_(0.4)N for Solar-Blind Detectors[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 29(9) |
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| Authors: | Zhu Yanling Du Jiangfeng Luo Muchang Zhao Hong Zhao Wenbo Huang Lieyun Ji Hong Yu Qi Yang Mohua |
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| Affiliation: | Zhu Yanling1,Du Jiangfeng1,Luo Muchang2,Zhao Hong2,Zhao Wenbo2,Huang Lieyun2,Ji Hong1,Yu Qi1,, Yang Mohua1(1 State Key Laboratory of Electronic Thin Films , Integrated Devices,University of Electronic Science , Technology of China,Chengdu 610054,China)(2 Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high-Al content n-AlGaN ohmic contact anneal back-illumination solar-blind p-i-n detector |
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