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| Ag／AuGeNi／n—GaSb欧姆接触的研究 | |
| 作者姓名： | 钟兴儒 陶琨 |
| 摘 要： | 研究了Ａｇ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＳｂ在１５０°－４５０°下合金处理对欧姆接触的影响，最佳合金温度为２２０℃，此进接触电阻率为６．７×１０＾－４Ωｃｍ＾２。用ＡＥＳ和ＸＲＤ研究了金属半导体界面处的扩散及物相变化，并讨论了接触电阻率与微结构的关系。 |
| 关 键 词： | 欧姆接触 接触电阻率 微结构 太阳能电池 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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