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高稳定长寿命反射式GaAs(Cs,F)光阴极
引用本文:谈凯声. 高稳定长寿命反射式GaAs(Cs,F)光阴极[J]. 电子与信息学报,1987,9(2): 161-164.
作者姓名:谈凯声
作者单位:中国科学院电子学研究所
摘    要:一个稳定的光阴极表面层是获得一个稳定的长寿命光阴极的必不可少的条件。由于反射式GaAs(Cs,F)光阴极用氟代替氧进行表面激活,氟的强烈的电负性使得表面层的稳定性得到改善。反射式GaAs(Cs,F)光阴极的寿命达到8500小时。除此之外,它的工艺重复性和抗污染能力也比GaAs(Cs,O2)光阴极的好。

收稿时间:1985-03-27
修稿时间:1985-04-25

A HIGH STABLE LONG LIFE-SPAN REFLACTIVE GaAs(Cs, F) PHOTOCATHODE
Tan Kaisheng. A HIGH STABLE LONG LIFE-SPAN REFLACTIVE GaAs(Cs,F) PHOTOCATHODE[J]. Journal of Electronics & Information Technology,1987,9(2): 161-164.
Authors:Tan Kaisheng
Affiliation:Institute of Electronics Acadcmia Sinica
Abstract:A Stable surface layer is essential for a high stable long life-span photocathode. Using fluorine instead of oxygen in activating the surface of GaAs substrate, the strong electronegativity of fluorine improved the stability of photocathode. The life-span of reflactive GaAs (Cs, F) photocathode has been up to 8500 hours. Furthermore, its technological reproducibility and anti-contamination ability are better than those of GaAs(Cs, O2) photocathode.
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