|
|||||
|
|
| 低剂量SIMOX圆片表层硅缺陷密度 | |
| 作者姓名： | 郑望 陈猛 陈静 林梓鑫 王曦 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所,,中国科学院上海冶金研究所 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;59925205; |
| 摘 要： | 用增强化学腐蚀法研究了低剂量SIMOX-SOI材料表层硅质量与实验参数的关系.结果表明,注入剂量和能量对表层硅质量有明显影响.通过对注入剂量和能量的优化,表层硅线缺陷密度可低于104cm-2.在注入能量为160keV时,获得低线缺陷密度对应的注入剂量为5.5×1017cm-2左右,当注入剂量为4.5×1017cm-2,获得低线缺陷密度对应的注入能量为130keV. |
| 关 键 词： | SOI 缺陷 Secco |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)07-0871-04 |
| 修稿时间： | 2000-07-29 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |