| 截止频率为120GHz的晶格匹配InP基HEMT |
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| 引用本文： | 陈立强,张海英,尹军舰,钱鹤,牛洁斌. 截止频率为120GHz的晶格匹配InP基HEMT[J]. 半导体学报, 2005, 26(3) |
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| 作者姓名： | 陈立强 张海英 尹军舰 钱鹤 牛洁斌 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 报道了具有良好直流特性的晶格匹配InP基HEMT，器的跨导为600mS/mm，阈值电压为－1-2V，最大电流密度为500mA/mm，截止频率为120GHz.
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| 关 键 词： | 截止频率 高电子迁移率场效应晶体管 InAlAs/InGaAs InP cutoff frequency high electron mobility transistors InAlAs/InGaAs InP 截止频率 晶格匹配 HEMTs maximum current density threshold voltage extrinsic transconductance devices characteristics InGaAs cutoff frequency 最大电流密度 阈值电压 跨导 直流特性 |
Lattice-Matched InP-Based HEMTs with fT of 120GHz |
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| Chen Liqiang,Zhang Haiying,Yin Junjian,Qian He,Niu Jiebin. Lattice-Matched InP-Based HEMTs with fT of 120GHz[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(3) |
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| Authors: | Chen Liqiang Zhang Haiying Yin Junjian Qian He Niu Jiebin |
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