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杂志ISSN号
ITO薄膜产业化进程概述
作者姓名:
李玉增
作者单位:
北京有色金属研究总院
摘 要:
1ITO薄膜发展概况氧化铟锡(Indium-Tin-Qxide)或掺锡氧化铟(Tin-dopedIndiumOxide)薄膜是一种重掺杂、高简并n型半导体,简称ITO薄膜。目前,ITO薄膜的电子密度ne可高达1021/cm3,电子迁移率μe在15~4...
关 键 词:
薄膜
氧化铟锡
半导体
产业化
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