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| 用于T形栅光刻的新型移相掩模技术 | |
| 引用本文： | 韩安云,王育中,王维军,张倩,田振文,樊照田,陈宝钦,崔铮. 用于T形栅光刻的新型移相掩模技术[J]. 微纳电子技术, 2002, 39(5): 37-40 |
| 作者姓名： | 韩安云 王育中 王维军 张倩 田振文 樊照田 陈宝钦 崔铮 |
| 作者单位： | 1. 信息产业部电子第十三研究所,河北,石家庄,050051 2. 中国科学院微电子中心,北京,100083 3. 英国卢瑟福国家实验室微结构研究中心 |
| 摘 要： | 根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术——M-PEL。初步实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌。 |
| 关 键 词： | 光学光刻 移相掩模 T形栅 M-PEL |
| 文章编号： | 1671-4776(2002)05-0037-04 |
| 修稿时间： | 2001-11-10 |
Novel PSM technology for T-shaped gate lithography |
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| HAN An-yun,WANG Yu-zhong,WANG Wei-jun,ZHANG Qian,TIAN Zhen-wen,FAN Zhao-tian. Novel PSM technology for T-shaped gate lithography[J]. Micronanoelectronic Technology, 2002, 39(5): 37-40 | |
| Authors: | HAN An-yun WANG Yu-zhong WANG Wei-jun ZHANG Qian TIAN Zhen-wen FAN Zhao-tian |
| Abstract: | The paper suggests a novel PSM technology called M-PEL for producing resist patterns required by fabricating T-shaped gate. It is based on fundamentals of phase shift mask (PSM) and aided by lithography process simulation. The initial experiments show that a unique resist pat-tern required by fabricating T-shaped gate can be formed by one lithography process in single layer photoresist. |
| Keywords: | photolithography phase-shift mask T-shaped gate M-PEL |
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