| 石墨烯基红外探测器的高k栅氧集成 |
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| 引用本文： | 周鹏,魏红强,孙清清,叶立,陈琳,吴东平,丁士进,张卫.石墨烯基红外探测器的高k栅氧集成[J].红外与毫米波学报,2012,31(2):118-121. |
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| 作者姓名： | 周鹏 魏红强 孙清清 叶立 陈琳 吴东平 丁士进 张卫 |
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| 作者单位： | 复旦大学微电子研究院,集成电路与系统国家重点实验室,上海200433 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（面上项目，重点项目，重大项目） |
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| 摘 要： | 从石墨烯发现与制备出发,综述了室温下双层石墨烯或石墨烯带禁带在0～250 meV可调的特性,及其在中远红外探测器的背栅、顶栅结构中作为栅氧形成材料的应用,并介绍了目前各种先进工艺.
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| 关 键 词： | 石墨烯 红外探测器 高k栅氧集成 |
| 收稿时间： | 2011/2/24 |
| 修稿时间： | 2011/6/24 0:00:00 |
High-k gate oxides integration of graphene based infrared detector |
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| ZHOU Peng,WEI Hong-Qiang,SUN Hai-Tao,YE Li,CHEN Lin,WU Dong-Peng,DING Shi-Jin and ZHANG Wei.High-k gate oxides integration of graphene based infrared detector[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2012,31(2):118-121. |
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| Authors: | ZHOU Peng WEI Hong-Qiang SUN Hai-Tao YE Li CHEN Lin WU Dong-Peng DING Shi-Jin and ZHANG Wei |
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| Affiliation: | State Key Lab of ASIC,Fudan University,Fudan University,Fudan University,Fudan University,Fudan University,Fudan University and Fudan University |
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| Abstract: | This review gives an introduction to the discovery and fabrication of the graphene, back-gated and top-gated GFET with the possible tunable band-gap of 0~250 meV at room temperature for middle and far infrared detector application, radio frequency GFET application and other advanced high k gate oxides integration processes. |
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| Keywords: | graphene infrared detector high-k integration |
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