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| 电子束法沉积ZnIn_2Se_4膜的结构与XPS表征 | |
| 作者姓名： | 张瑞峰 于亚莉 孙玉茹 李文范 |
| 作者单位： | 中国科学院长春应用化学研究所国家电化学与光谱分析研究中心，中国科学院长春应用化学研究所国家电化学与光谱分析研究中心，中国科学院长春应用化学研究所国家电化学与光谱分析研究中心，中国科学院长春应用化学研究所国家电化学与光谱分析研究中心 长春市 130022，长春市 130022，长春市 130022，长春市 130022 |
| 摘 要： | 研究了电子束法沉积ZnIn_2Se_4薄膜的工艺条件,所得致密、均匀膜的导电类型可以通过不同气氛处理得到控制。该膜的最佳参数为:电阻率ρ为2.35×10~(-1)Ω·cm,Hall迁移率μ_H为106cm~2·V~(-1)·S~(-1),载流子浓度N是1.51×10~(17)cm~(-3),禁带宽度E_(?)为2.23eV。采用XPS技术研究了膜的组成、结构、价态。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |