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用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的MOVPE外延材料
引用本文:黄子乾,李肖,潘彬,张岚.用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的MOVPE外延材料[J].太阳能学报,2006,27(5):433-435.
作者姓名:黄子乾  李肖  潘彬  张岚
作者单位:1. 南京大学物理系,南京,210016
2. 南京电子器件研究所,南京,210016
摘    要:采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键问题,通过对掺杂剂、生长技术及条件的调整与改进,极大地提高了GaInP/GaAs双结叠层太阳电池性能,最高转换效率达到23.8%(AMO,25℃)。

关 键 词:金属有机化合物气相淀积  GaInP/GaAs双结叠层太阳电池  隧穿结  掺杂技术
文章编号:0254-0096(2006)05-0433-03
收稿时间:10 26 2004 12:00AM
修稿时间:2004-10-26

WAFERS FOR GaInP/GaAs TANDEM SOLAR CELLS BY MOVPE
Huang Ziqian,Li Xiao,Pan Bin,Zhang Lan.WAFERS FOR GaInP/GaAs TANDEM SOLAR CELLS BY MOVPE[J].Acta Energiae Solaris Sinica,2006,27(5):433-435.
Authors:Huang Ziqian  Li Xiao  Pan Bin  Zhang Lan
Affiliation:1. Phisical Department of Nanjing University, Nanfing 210016, China ;2. Nanfing Electronic Devices Institute, Nanjing 210016, China
Abstract:
Keywords:MOVPE  GaInP/GaAs dual-junction tandem solar cell  tunnel junction  doping technique  
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