| CMOS低噪声放大器中的输入匹配研究与设计 |
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| 引用本文： | 张炜,冯全源.CMOS低噪声放大器中的输入匹配研究与设计[J].半导体技术,2007,32(6):486-489. |
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| 作者姓名： | 张炜 冯全源 |
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| 作者单位： | 西南交通大学,信息科学与技术学院,成都,610031;西南交通大学,信息科学与技术学院,成都,610031 |
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| 摘 要： | 分析了低噪声放大器设计中最常用的源极电感负反馈输入匹配结构,指出其存在的缺陷及如何改进,即利用一个小值LC网络代替大感值的栅极电感Lg,同时移除源极负反馈电感Ls.应用这种改进型输入匹配结构,基于0.18μm BSIM3模型设计了工作频带为5.1～5.8 GHz的宽带CMOS低噪声放大器.结果表明,虽然输入匹配由于移除源极负反馈电感Ls受到一定影响,但是有利于降低噪声系数并减小实际制作的芯片面积.
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 输入阻抗匹配 互补金属氧化物半导体 |
| 文章编号： | 1003-353X（2007）06-486-04 |
| 修稿时间： | 2006-11-13 |
Research and Design of Input Matching Architecture in CMOS LNA |
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| ZHANG Wei,FENG Quan-yuan.Research and Design of Input Matching Architecture in CMOS LNA[J].Semiconductor Technology,2007,32(6):486-489. |
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| Authors: | ZHANG Wei FENG Quan-yuan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | low-noise amplifier(LNA) input impedance matching CMOS |
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