| 表面张力温度系数对硅单晶生长的影响 |
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| 引用本文： | 李友荣,邓努波,吴双应,彭岚,李明伟. 表面张力温度系数对硅单晶生长的影响[J]. 材料研究学报, 2005, 19(4): 395-400 |
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| 作者姓名： | 李友荣 邓努波 吴双应 彭岚 李明伟 |
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| 作者单位： | 重庆大学动力工程学院，重庆大学，重庆大学，重庆大学，重庆大学 教授 重庆市 400044，重庆电力高等专科学校 |
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| 摘 要： | 利用有限元方法对硅单晶Czochralski(Cz)法生长炉内的流动和传输过程进行了全局数值模拟,研究了表面张力温度系数对硅单晶生长过程的影响,模拟的表面张力温度系数范围是(0～0.35)×10-3N/m·K.结果表明:随着表面张力温度系数的增加,由Marangoni效应驱动的熔体表面流动能强化熔体的自然对流,从而减小了通过熔体自由界面的温差,降低了加热器的功率.但是,结晶界面更凸向熔体,在结晶界面处晶体内的轴向温度梯度减小;对常规Cz炉,结晶界面处的平均氧浓度先减小然后增大,而对于具有气体导板的Cz炉,Marangoni效应总是使结晶界面处的平均氧浓度减小.
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| 关 键 词： | 材料科学基础学科 全局分析 有限元方法 硅Cz炉 表面张力温度系数 |
| 文章编号： | 1005-3093(2005)04-0395-06 |
| 收稿时间： | 2004-08-23 |
| 修稿时间： | 2004-08-23 |
Effects of temperature coefficient of surface tension on the silicon crystal Czochralski growth |
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| LI Yourong DENG Nubo WU Shuangying PENG Lan LI Mingwei. Effects of temperature coefficient of surface tension on the silicon crystal Czochralski growth[J]. Chinese Journal of Materials Research, 2005, 19(4): 395-400 |
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| Authors: | LI Yourong DENG Nubo WU Shuangying PENG Lan LI Mingwei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | foundational discipline in materials global analysis finite-element method siliconCz furnace surface tension temperature coefficient |
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