| InAs/GaAs自组织量子点的可控分子束外延生长及其新型光电器件研究北大核心CSCD |
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| 引用本文： | 陈英鑫黄晓莹杨灼辉钟汉城宋长坤刘林喻颖余思远.InAs/GaAs自组织量子点的可控分子束外延生长及其新型光电器件研究北大核心CSCD[J].真空科学与技术学报,2023(3):210-218. |
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| 作者姓名： | 陈英鑫黄晓莹杨灼辉钟汉城宋长坤刘林喻颖余思远 |
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| 作者单位： | 1.中山大学电子与信息工程学院、光电材料与技术国家重点实验室510275; |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划项目(2018YFA0306100,2018YFB2200201)；国家自然基金重点项目(62135012)；国家自然基金面上项目(11704424)；广州市科技专项项目(202103030001)。 |
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| 摘 要： | 半导体量子点因其具有类原子的分立能级结构,可在三维方向上对载流子运动进行束缚,因此被认为是光发射器件(激光器、量子光源等)极具前景的有源物质之一。其器件的性能强烈依赖于量子点材料的品质、光场与量子点偶极子场的有效相互作用等。本文将从半导体InAs/GaAs自组织量子点的可控分子束外延生长调控技术出发,进一步探讨应用于光通信、片上光互联领域的量子点激光器,以及应用于光量子信息领域的高品质量子光源器件。
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| 关 键 词： | 半导体量子点 半导体激光器 量子光源 |
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