CdTe、HgTe和Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te表面的溅射清洗和干式氧化

一、引言n型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te是8～14微米谱区红外传感器的常用材料。已知Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te上原身氧化物形成的积累型界面层可大大减少不同情况下普遍存在的表面复合,从而稳定了n型材料表面的电性能。因此,用原身氧化物作Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te的钝化与隔离膜或作传感器材料和增透膜等之间的中间层,是很理想的。尽管工艺意义如此重要,但对于所用原身氧化物的最佳生长条件和成分仍缺乏了解。