机电部十三所用MOCVD GaAlAs/GaAs材料做出HBT

<正> 利用宽禁带发射极高注入效率的异质结双极晶体管(HBT),可同时提高基区掺杂、降低发射区掺杂,从而降低基区电阻和基极-发射极结电容。由于HBT在高频高速运用中具有极大潜力,使HBT的研究成为国际上的一个活跃课题。该器件要求精确控制极薄的多层外延结构材料的组分和掺杂浓度、以及精细的器件横向尺寸,从而在工艺上具有相当的难度。机电部十三所于1988年十月在国内首次使用MOCVD生长的GaAlAs/GaAs异质结多层结构材料,成功地研制出HBT。其材料结构为:衬底:N~+-GaAs;