| PMOSFET的NBTI效应 |
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| 引用本文： | 李若瑜,李斌,陈平,韩静. PMOSFET的NBTI效应[J]. 半导体技术, 2005, 30(5): 62-66,27 |
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| 作者姓名： | 李若瑜 李斌 陈平 韩静 |
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| 作者单位： | 华南理工大学微电子学系,广州,510640;华南理工大学微电子学系,广州,510640;华南理工大学微电子学系,广州,510640;华南理工大学微电子学系,广州,510640 |
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| 摘 要： | 随着工艺的发展,器件尺寸的不断缩小,PMOSFET受负温度不稳定性(NBTI)效应影响而失效的现象愈来愈严重,NBTI效应的影响成为器件可靠性的一个焦点问题.本文综述了NBTI效应的产生机理、影响因素、减缓方法及其相关的一些前沿问题.
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| 关 键 词： | PMOS场效应晶体管 负温度不稳定性 栅氧化层可靠性 器件失效 |
| 文章编号： | 1003-353X(2005)05-0062-05 |
NBTI Effects in PMOSFET |
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| LI Ruo-yu,LI Bin,CHEN Ping,HAN Jing. NBTI Effects in PMOSFET[J]. Semiconductor Technology, 2005, 30(5): 62-66,27 |
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| Authors: | LI Ruo-yu LI Bin CHEN Ping HAN Jing |
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| Abstract: | With the advanced processes, the feature size of the devices keeps diminishing, whichleads to more frequent failure of PMOSFET due to NBTI effects that now becomes a focus of devicereliability. NBTI effect is reviewed on mechanisms, affecting factors, alleviating methods and therelevant problems. |
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| Keywords: | PMOSFET negative bias temperature instability reliability of the gate oxide device failure |
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