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| 利柯公司研制高速存取时间的4M屏蔽ROM | |
| 引用本文： | 一凡.利柯公司研制高速存取时间的4M屏蔽ROM[J].微电子技术,1995(5). |
| 作者姓名： | 一凡 |
| 摘 要： | 利柯公司已研制成低压高速工作的4M屏蔽ROM“RS534340F”，并从1994年4月开始销售。现在开发的屏蔽ROM采用0．sqmCMOS工艺。由于开发在独特分段法和宽范围工作的读出放大器，电源电压为3．3V土0．3，已实现最大存取时间为150us，另外，工作电流为50mA，同时也实现待机时耗散电流为30if人总线宽度是x8／x16替换方式。最适宜的用途是电流驱动的信息通信机。封装为40条腿的PSOP，样品价格为10D0日元，开始生产规模，日产为IO万块。利柯公司研制高速存取时间的4M屏蔽ROM@一凡… |
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