砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管微波放大器的设计和性能 |
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引用本文: | C.A.Liechti,赵克俊,谭昌业.砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管微波放大器的设计和性能[J].微纳电子技术,1975(2). |
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作者姓名: | C.A.Liechti 赵克俊 谭昌业 |
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摘 要: | 本文叙述了一个X波段的砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管放大器的设计和性能。该放大器在8.0~12.0千兆赫的频率范围上在典型噪声系数为5.5分贝(最大为6.9分贝)时增益达到20±1.3分贝。输入和输出端的电压驻波比不超过2.5:1。1分贝增益压缩的最小输出功率为 13分贝毫瓦。讨论了实际的宽带耦合网络的设计,这些网络在整个X波段内使放大器的噪声系数最小并保持恒定的增益。
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