氢气退火对ITO纳米颗粒能带结构的影响

采用共沉淀法合成了高质量的ITO纳米颗粒,研究了H_2退火对ITO结构及能带的影响。通过扫描电子显微镜对ITO颗粒的形貌进行分析,发现其颗粒尺寸均匀;采用傅里叶变换红外光谱分析退火前后ITO中化学键的类型,发现退火之后In-O键的振动峰减弱,这是ITO颗粒表面氧溢出并形成In-Sn合金所致;同时X射线衍射曲线在退火前后并未发生变化,表明ITO纳米颗粒主体的晶体结构并没有发生改变;通过H_2气氛下退火后样品的吸收光谱可以看出,随着退火温度的升高,ITO的带隙逐渐增大,这是由表面的In-Sn合金所引起的。