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抗辐照相变存储器芯片温度适应性研究
引用本文:段欣欣,王敏琪,潘乐乐,邱源,程志渊.抗辐照相变存储器芯片温度适应性研究[J].计算机测量与控制,2019,27(10):214-217.
作者姓名:段欣欣  王敏琪  潘乐乐  邱源  程志渊
作者单位:上海航天电子技术研究所,,,,
摘    要:分析了相变存储器应用于航天器时应该考虑的高低温可靠性,并设计实验研究镁光公司研发推出的低功耗相变存储芯片LPDDR2-PCM MT66R7072,以评估其空间应用的可行性。实验结果显示:在-40℃~80℃范围下,相变存储芯片能够正常实现读写操作,在25℃下,待机功耗为9.792mW,最大工作功耗为36.474mW,相对现役空间存储器,表现出明显的低成本、低功耗和高可靠性等优势。

关 键 词:相变存储器  GST  适应性  抗辐照  低功耗
收稿时间:2019/4/10 0:00:00
修稿时间:2019/5/7 0:00:00

Research on Temperature Adaptability of Phase Change Memory Chip
Abstract:
Keywords:
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