| SiGe HBT MEXTRAM模型参数的直接提取 |
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| 引用本文： | 周佩明,付军,周天舒,李平梁,徐向明,王玉东,张伟,崔杰,刘志弘.SiGe HBT MEXTRAM模型参数的直接提取[J].微电子学,2011,41(5). |
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| 作者姓名： | 周佩明 付军 周天舒 李平梁 徐向明 王玉东 张伟 崔杰 刘志弘 |
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| 作者单位： | 1. 清华大学微电子学研究所,北京100084;清华信息科学与技术国家实验室,北京100084
2. 上海华虹NEC电子有限公司,上海,201206 |
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| 基金项目： | 国家科技重大专项(2009ZX02303-003) |
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| 摘 要： | 提出了一种锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)MEXTRAM集约模型参数的直接提取方法。该方法通过有效地区分各种器件物理效应对器件性能的影响,无需电路仿真器,就能够提取器件的模型参数,简便实用。通过提取实验制备的SiGe HBT器件的整套MEXTRAM模型参数,仿真曲线与测试数据吻合良好,证实了该方法的精确性和有效性。
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| 关 键 词： | 参数提取 锗硅异质结双极晶体管 MEXTRAM模型 |
Direct Parameter Extraction for SiGe HBT MEXTRAM Model |
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| ZHOU Peiming,FU Jun,ZHOU Tianshu,LI Pingliang,XU Xiangming,WANG Yudong,ZHANG Wei,CUI Jie,LIU Zhihong.Direct Parameter Extraction for SiGe HBT MEXTRAM Model[J].Microelectronics,2011,41(5). |
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| Authors: | ZHOU Peiming FU Jun ZHOU Tianshu LI Pingliang XU Xiangming WANG Yudong ZHANG Wei CUI Jie LIU Zhihong |
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| Affiliation: | ZHOU Peiming1,2,FU Jun1,ZHOU Tianshu3,LI Pingliang3,XU Xiangming3,WANG Yudong1,ZHANG Wei1,CUI Jie1,LIU Zhihong1,2(1.Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,P.R.China,2.Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology,3.Shanghai Huahong NEC Electronics Company,Ltd,Shanghai 201206,P.R.China) |
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| Abstract: | A direct parameter extraction method for SiGe HBT MEXTRAM compact model was presented,which could effectively decouple influences of various physical effects,thus enabling a straightforward,simple and practical parameter extraction with no need of circuit simulator.A set of MEXTRAM parameters was extracted for SiGe HBT's fabricated in the experiment,and simulated curves agreed quite well with measured data,showing accuracy and validity of the method. |
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| Keywords: | Parameter extraction SiGe HBT MEXTRAM model |
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