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| 未退火Co/n-poly-SiGe肖特基接触不均匀性研究 | |
| 引用本文： | 王光伟,姚素英,徐文慧,张建民. 未退火Co/n-poly-SiGe肖特基接触不均匀性研究[J]. 微电子学, 2011, 41(5): 763-765,769 |
| 作者姓名： | 王光伟 姚素英 徐文慧 张建民 |
| 作者单位： | 1. 天津大学电信学院,天津300072;天津职业技术师范大学电子工程学院,天津300222 2. 天津大学电信学院,天津,300072 3. 天津职业技术师范大学电子工程学院,天津,300222 |
| 摘 要： | 在n型单晶硅衬底上,用射频磁控溅射法沉积Si1-x Gex薄膜,在850℃下对薄膜进行40min磷扩散,制备出n-poly-Si1-x Gex.俄歇电子谱(AES)测试表明,Si1-xGex薄膜的Ge含量约为18％,即磷扩散后得到n-poly-Si0.82 Ge0.18.随即在n-poly-Si0.82 Ge0.18薄... |
| 关 键 词： | SiGe 变温I-V测试 肖特基结 理想因子 |
Study on Inhomogeneous Schottky Contact of As-Deposited Co/n-Poly-SiGe |
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| WANG Guangwei,YAO Suying,XU Wenhui,ZHANG Jianmin. Study on Inhomogeneous Schottky Contact of As-Deposited Co/n-Poly-SiGe[J]. Microelectronics, 2011, 41(5): 763-765,769 | |
| Authors: | WANG Guangwei YAO Suying XU Wenhui ZHANG Jianmin |
| Affiliation: | WANG Guangwei1,2,YAO Suying1,XU Wenhui2,ZHANG Jianmin2(1.Telecommunication College,Tianjin University,Tianjin 300072,P.R.China,2.School of Electronic Engineering,Tianjin University of Technology and Education,Tianjin 300222,P.R.China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | SiGe Variable temperature I-V test Schottky junction Ideality factor |
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