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X波段低噪声放大器设计
引用本文:马万雄,陈昌明,张川.X波段低噪声放大器设计[J].电子器件,2013,36(1):64-67.
作者姓名:马万雄  陈昌明  张川
作者单位:成都信息工程学院,成都,610225
摘    要:针对目前X波段低噪声放大器的电路拓扑结构不易选择,故提出了一种采用微带分支线匹配结构和三级级联方式的X波段低噪声放大器(LNA)。放大器选用NEC低噪声放大管NE3210S01,利用ADS(Advanced Design System)软件设计、仿真、优化,放大器实测结果表明:在9.2 GHz~9.6 GHz频带内,噪声系数小于1.7 dB,带内增益达到33.5 dB,带内增益平坦度ΔG≤±0.3 dB,输入、输出驻波比均小于1.5。该放大器已应用于X波段接收机,效果良好,其设计方法可供工程应用参考。

关 键 词:低噪声放大器  增益  噪声系数  驻波比

Design of X-band Low Noise Amplifier
MA Wanxiong , CHEN Changming , ZHANG Chuan.Design of X-band Low Noise Amplifier[J].Journal of Electron Devices,2013,36(1):64-67.
Authors:MA Wanxiong  CHEN Changming  ZHANG Chuan
Affiliation:(Chengdu University of Information Technology,Chengdu 610225,China)
Abstract:
Keywords:Low noise amplifier (LNA)  Gain  Noise figure  VSWR
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