| 低压功率VDMOS的结构设计研究 |
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| 引用本文： | 王蓉,李德昌. 低压功率VDMOS的结构设计研究[J]. 电子科技, 2010, 23(4): 33-35,41 |
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| 作者姓名： | 王蓉 李德昌 |
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| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学,技术物理学院,陕西,西安,710071
2. 西安电子科技大学,理学院,陕西,西安,710071 |
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| 摘 要： | 对功率集成电路中耐压为60V，电流容量为2．5A的VDMOS进行了设计和仿真。在理论计算的基础上，分析了外延参数和单胞尺寸结构的设计优化方法。通过ISETCAD器件仿真软件，得出相关数据和终端结构，进而借助L-edit完成最终版图结构。
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| 关 键 词： | 功率VDMOS 单胞尺寸 终端 芯片版图 |
The Structural Design Of Low-voltage Power VDMOS Research |
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| Wang Rong,Li Dechang. The Structural Design Of Low-voltage Power VDMOS Research[J]. Electronic Science and Technology, 2010, 23(4): 33-35,41 |
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| Authors: | Wang Rong Li Dechang |
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| Affiliation: | 1.School of Technical Physics;Xidian University;Xi'an 710071;China;2.School of Science;China |
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| Abstract: | In this paper,voltage for 60 V,current capacity of 2.5 A for the VDMOS is designed and simulated,which is used in power IC.Based on theoretical calculation,the epitaxial parameters and the optimization method of the structure design for cell size is analyzed.Relevant data and terminal structure are obtained by ISE TCAD device simulation software,and the layout structure is completed by L-edit. |
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| Keywords: | power VDMOS cell size terminal layout |
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