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一种SET/CMOS混合器件模型的建立及特性分析
引用本文:史党院,蔡理,邵一丹.一种SET/CMOS混合器件模型的建立及特性分析[J].微计算机信息,2007,23(29):283-284,106.
作者姓名:史党院  蔡理  邵一丹
作者单位:空军工程大学理学院,陕西西安,710051
基金项目:陕西省自然科学基金;空军工程大学理学院科研项目
摘    要:本文基于一种单电子晶体管数学模型(改进的MIB模型),实现其SPICE宏模型。提出一种改进型SET/CMOS混合器件模型,并用SPICE对其I-V特性进行了仿真验证,仿真结果证实了电流与电压具有线性关系。此混合模型的线性电流区可以在积分器以及滤波器电路中得到应用。

关 键 词:单电子晶体管  库伦阻塞效应
文章编号:1008-0570(2007)10-2-0283-02
修稿时间:2007-08-232007-09-25

A SET/CMOS Hybrid Device model and Analysis of Characterization
SHI DANGYUAN,CAI LI,SHAO YIDAN.A SET/CMOS Hybrid Device model and Analysis of Characterization[J].Control & Automation,2007,23(29):283-284,106.
Authors:SHI DANGYUAN  CAI LI  SHAO YIDAN
Abstract:
Keywords:SET/CMOS  SPICE
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