| 两段式半导体激光器的双稳条件 |
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| 引用本文： | 罗斌,吕鸿昌,陈建国. 两段式半导体激光器的双稳条件[J]. 中国激光, 1997, 24(7): 595-599 |
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| 作者姓名： | 罗斌 吕鸿昌 陈建国 |
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| 作者单位： | 西南交通大学计算机与通信工程学院 |
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| 摘 要： | 对Ｋｕｚｎｅｔｓｏｖ采用的速率方程加以修正，考虑了俄歇效应的影响，载流子寿命不再作为常数处理，而写成载流子浓度的函数。由此导出了两段式半导体激光器存在双稳的必要条件，计算结果表明，吸收区偏置电流对双稳条件影响极大，对具体器件而言，若增益区和吸收区隔离电阻不够大，几个ｍＡ的偏置电流泄露到吸收区就使器件难以产生双稳。
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| 关 键 词： | 双稳，两段式半导体激光器，速率方程 |
| 收稿时间： | 1996-06-04 |
Conditions for Bistability in Two segment Semiconductor Lasers |
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| Abstract: | Based on modified rate equations, conditions for bistability in two segment semiconductor lasers have been deduced. Effects of Auger coefficient and bias current of the absorber segment on bistability are discussed. |
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| Keywords: | bistability two segment semiconductor lasers rate equations |
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