| 在SOI基上设计实现D/A驱动的高压LDMOS开关电路 |
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| 引用本文： | 雷宇,方健,张波,李肇基. 在SOI基上设计实现D/A驱动的高压LDMOS开关电路[J]. 半导体学报, 2005, 26(6): 1255-1258 |
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| 作者姓名： | 雷宇 方健 张波 李肇基 |
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| 作者单位： | 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 总装备部科研项目 |
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| 摘 要： | 设计实现SOI基上带有D/A驱动的高压LDMOS功率开关电路，利用D/A变换的灵活性，运用数字电路与高压模拟电路混合设计方法，实现数字控制的耐压为300V的LDMOS功率开关电路．该功率集成电路芯片的实现，为SOI高压功率开关电路提供了一种更为方便快速的数字控制设计方法，同时也为功率系统集成电路提供了一种有效的实验验证，从而证实了功率系统集成的探索在理论上以及工程上具有一定的可行性．
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| 关 键 词： | D/A驱动电路 绝缘体上硅 LDMOS 高压开关电路 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)06-1255-04 |
| 修稿时间： | 2004-07-25 |
A High Voltage LDMOS Switch Circuit with a D/A Driver in SOI Material |
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| Lei Yu,Fang Jian,Zhang Bo,Li Zhaoji. A High Voltage LDMOS Switch Circuit with a D/A Driver in SOI Material[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(6): 1255-1258 |
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| Authors: | Lei Yu Fang Jian Zhang Bo Li Zhaoji |
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| Abstract: | A high voltage LDMOS power switch circuit with a D/A driver in the SOI material is designed.By taking advantage of the convenience of D/A transform,a 300V LDMOS power switch circuit with digital control by digital circuit and the high voltage circuit design method is realized.The realization of a power integrate circuit provides not only a fast and convenient design method for the SOI high voltage power switch circuit,but also a valid experiment for a system power integrate circuit.It confirms the possibility of a system power integrate circuit in that theory and engineering. |
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| Keywords: | D/A driver circuit SOI LDMOS high voltage switch circuit |
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