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| 退火对GD a-SiN_x∶H材料光电导的影响 | |
| 作者姓名： | 马玉蓉 李清山 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系(马玉蓉)，山东曲阜师范大学物理系(李清山) |
| 摘 要： | 本文研究了退火对辉光放电制备的非晶氮化硅(GD a-SiN_x∶H)材料光电导的影响、用光电导的方法给出材料的吸收系数、带尾态宽度等参数,指出退火是消除无规堆垛引起的局域态的有效方法。 |
| 关 键 词： | 退火 GD a-SiN_x:H 光电导 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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