| 基于MOCVD生长的高Al组分AlxGa1-xN的HRXRD研究 |
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| 引用本文： | 杜阳,李培咸,周小伟,白俊春. 基于MOCVD生长的高Al组分AlxGa1-xN的HRXRD研究[J]. 电子科技, 2009, 22(5) |
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| 作者姓名： | 杜阳 李培咸 周小伟 白俊春 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学技术物理学院,陕西,西安,710071;西安电子科技大学微电子学院,陕西,西安,710071 |
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| 摘 要： | 通过MOCVD设备,在c面蓝宝石衬底上异质外延了不同Al组分含量的Alx,Ga1-xN材料,生长过程中采用了低温缓冲层技术、脉冲原子外延技术(PALE)和多层超晶格缓冲技术,例如AlGaN/AlN SLs结构,成功得到了表面光滑无裂纹的AlxGa1-xN膜.并且通过HRXRD对材料进行了多个晶面方向上的摇摆曲线和20～ω表征测试,在此测试基础上时材料的Al组分、α轴和c轴的晶格常数以及位错密度进行了相应的计算,并定性的分析了材料的应变状态.
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| 关 键 词： | MOCVD AlxGa1-xN HRXRD 位错 晶格常数 |
HRXRD Research in MOCVD Al_xGa_(1-x)N Epitaxial Layers with Hi-Al Concentration |
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| Du Yang,Li Peixian,Zhou Xiaowei,Bai Junchun. HRXRD Research in MOCVD Al_xGa_(1-x)N Epitaxial Layers with Hi-Al Concentration[J]. Electronic Science and Technology, 2009, 22(5) |
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| Authors: | Du Yang Li Peixian Zhou Xiaowei Bai Junchun |
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| Affiliation: | 1.School of Technical Physics;Xidian University;Xi'an 710071;China;2.School of Microelectronics;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOCVD AlxGa1-xN HRXRD |
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