|
|||||
|
|
| 低温1.5-4.5GHz超低噪声放大器 | |
| 作者姓名： | Niklas Wadefalk Anders Mellberg Iltcho Angelov Erik Kollberg Niklas Rorsman Piotr Starski Herbert Zirath |
| 作者单位： | 1. 加利福尼亚科学研究院电气工程学院 2. 瑞典查尔姆斯理工大学微电子学院 3. 优利讯贸易股份公司 |
| 摘 要： | InP基高电子迁移率晶体管(HEMTs)具有极其优秀的低噪声性能和更佳的高频性能[1-4].由于在InGaAs层中载流子的迁移率和电流都很高,所以漏源极电压能够保持低电位.HEMT技术在低温时也并没有遭遇排斥.在InGaAs层中,掺杂物的游离能很低,电子存在于高能带隙材料的施主能级下的能量量子阱中.因此,对于高增益的微波运转,即便在低温条件下也能得到充足的载流子浓度. |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |