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超高速SRAM高集成化
引用本文:陈兆铮.超高速SRAM高集成化[J].固体电子学研究与进展,1994(4).
作者姓名:陈兆铮
摘    要:超高速SRAM高集成化据《于V匕V。>学会志))1993年第2期报道,日本富士通公司已研究出一种把高电子迁移率晶体管(HEMT)和谐振隧道二极管集成在一起的方法。采用这种方法,可把以前用6个HEMT构成的SRAM单元(记忆元件的基本构成单位),用1个...

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