| 外腔半导体激光器的理论分析与试验 |
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| 引用本文： | 黄德修 张其超 等. 外腔半导体激光器的理论分析与试验[J]. 半导体光电, 1990, 11(1): 26-31 |
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| 作者姓名： | 黄德修 张其超 等 |
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| 作者单位： | 华中理工大学，华中理工大学，华中理工大学 |
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| 摘 要： | 对描述外腔半导体激光器的多模速度方程组作了适当修正,利用经修正的多模速度方程组,对外腔半导体激光器的选模特性,输出功率及稳频进行了理论分析;从实验上观察了p=1.3um的外腔单纵模的工作情况;模抑制比S0/S1<280,实验结果与理论分析基本一致.
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| 关 键 词： | 光栅 外腔 半导体激光器 多模速率方程 |
Theoretical Analyses and Experiments for the External Cavity Semiconductor Lasers |
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| Huang Dexiu,Zhang Qichao,Li Longqing Huazhong Univ. of Scie. , Tech.. Theoretical Analyses and Experiments for the External Cavity Semiconductor Lasers[J]. Semiconductor Optoelectronics, 1990, 11(1): 26-31 |
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| Authors: | Huang Dexiu Zhang Qichao Li Longqing Huazhong Univ. of Scie. & Tech. |
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| Affiliation: | Huang Dexiu;Zhang Qichao;Li Longqing Huazhong Univ. of Scie. & Tech. |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Grating External Cavity Semiconductor Laser |
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