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| 单片12GHz低噪声GaAs MESFET放大器 | |
| 引用本文： | 王福臣,茅经怀,俞土法.单片12GHz低噪声GaAs MESFET放大器[J].固体电子学研究与进展,1985(1). |
| 作者姓名： | 王福臣 茅经怀 俞土法 |
| 作者单位： | 南京固体器件研究所 (王福臣，茅经怀)，南京固体器件研究所(俞土法) |
| 摘 要： | <正>为了满足我国电视卫星低噪声接收的需要,使单片低噪声FET放大器的性能赶上世界先进水平,南京固体器件研究所正抓紧单片12GHz低噪声GaAs MESFET放大器的研究,最近取得了较大的进展.研制的单级单片低噪声FET放大器,芯片尺寸为1×1.2mm,在10.5～12.4GHz带宽内测试,噪声系数为3～3.5dB,相关增益为6.0dB. |
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