| InP基长波长单片集成光接收前端的设计和制备 |
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| 引用本文： | 李轶群,崔海林,苗昂,吴强,黄辉,黄永清,任晓敏.InP基长波长单片集成光接收前端的设计和制备[J].半导体光电,2007,28(6):843-846. |
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| 作者姓名： | 李轶群 崔海林 苗昂 吴强 黄辉 黄永清 任晓敏 |
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| 作者单位： | 北京邮电大学,光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876;北京邮电大学,光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876;北京邮电大学,光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876;北京邮电大学,光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876;北京邮电大学,光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876;北京邮电大学,光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876;北京邮电大学,光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家高技术研究发展计划(863计划)
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国家自然科学基金
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国际科技合作项目
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北京市教委共建项目 |
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| 摘 要： | 叙述了利用InP基长波长pin光探测器和异质结双极晶体管(HBT)单片集成实现光接收前端的设计和制备方法.pin光探测器和HBT采用共享层结构,这样的结构不仅性能优于堆叠层结构,而且制备工艺兼容.制备的HBT截止频率达到30GHz,pin光探测器的3dB带宽达到了15GHz,集成光接收前端的3dB带宽达到3GHz,跨阻放大倍数达到800.
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| 关 键 词： | 光电集成 光接收前端 HBT pin光探测器 |
| 文章编号： | 1001-5868（2007）06-0843-04 |
| 收稿时间： | 2007-07-02 |
| 修稿时间： | 2007年7月2日 |
Design and Fabrication of InP/InGaAs Long Wavelength Monolithic Integrated Photoreceiver |
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| LI Yi-qun,CUI Hai-lin,MIAO Ang,WU Qiang,HUANG Hui,HUANG Yong-qing,REN Xiao-min.Design and Fabrication of InP/InGaAs Long Wavelength Monolithic Integrated Photoreceiver[J].Semiconductor Optoelectronics,2007,28(6):843-846. |
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| Authors: | LI Yi-qun CUI Hai-lin MIAO Ang WU Qiang HUANG Hui HUANG Yong-qing REN Xiao-min |
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| Abstract: | InP/InGaAs pin-HBT monolithic integrated photoreceiver was designed and fabricated. The share layer structure was adopted for improving performance and compatible technics. The cutoff frequency of HBT is 30 GHz, the 3 dB bandwidth of pin photodetector is 15 GHz, the 3 dB bandwidth of photoreceiver is 3 GHz and amplification factor is 800. |
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| Keywords: | optoelectronic integration photoreceiver HBT pin photodetector |
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