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| SiC和GaN功率半导体竞争激烈 | |
| 作者姓名： | 季建平 |
| 摘 要： | 正与现在的Si功率半导体相比,SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加,同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功率半导体方面,在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013 |
| 关 键 词： | 功率半导体 GaN SiC 功率元件 功率晶体管 半导体厂商 导通电阻 国际整流器 飞兆半导体 逆变器 |
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