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| USB 3．0需要更强大的电路保护 | |
| 引用本文： | 陆楠.USB 3．0需要更强大的电路保护[J].电子设计技术,2010(1):70-70. |
| 作者姓名： | 陆楠 |
| 作者单位： | |
| 摘 要： | 与多数传统MLV(多层变阻器)或TVS(瞬态电压抑制)二极管技术相比,PESD器件具有更低的电容,而其低触发电压和低箝位电压也有助于保护敏感电子元件。 |
| 关 键 词： | USB 3.0 过流保护 过压保护 ESD 瑞侃 femtoSMDC016F |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
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