最近的微细加工工艺及未来动向

近几年来,超LSI的工艺技术的进展是相当惊人的,我们打算将其成果的一部分发表于本刊。2微米规范的64K器件的研制业已大致完毕,现已开始发表1微米设计原则电子束直接扫描的256K器件和512K器件。我们认为若照这种趋势发展下去,发表1M位器件将为期不远了。 不久前,理化研究所主办召开了《离子注入和亚微米加工》第十二次讨论会。来自全国各地二百余名研究人员和技术人员,热烈地进行了讨论,发表了研究成果和讨论意见。这次讨论的中心是有关超LSI的工艺技术,发表了有关离子注入、激光退火和亚微米加工等40多篇学术论文。尤其是武藏野通讯研究所的大原省尔氏的特别讲演——《高集成化技术》有非常重要的参考价值。因为与本稿内容紧密相连,故引用其主要内容如下。