制备ZnO压电薄膜的射频平面磁控溅射装置

本文叙述了射频平面磁控装置的原理，结构特点，射频源及阻抗匹配网络，基片温度控制等方面的问题。在该种类型的装置上已淀积出了高度取向的优质ＺｎＯ压电薄膜，成膜速率比普通射频溅射提高５～１０倍。并在圆筒形钟罩外增设磁场线圈以增强靶表面水平磁场。实验中，测定了靶表面合成水平磁场的分布。对一些问题进行了讨论。