| 功能成品率估算的缺陷特征参数提取方法 |
| |
| 引用本文： | 郝跃,马佩军,张卫东,赵天绪. 功能成品率估算的缺陷特征参数提取方法[J]. 电子学报, 2000, 28(8): 76-78 |
| |
| 作者姓名： | 郝跃 马佩军 张卫东 赵天绪 |
| |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071 |
| |
| 基金项目： | 国家 8 36高科技，国家科技攻关项目 |
| |
| 摘 要： | 基于微电子测试双桥结构,本文给出了缺陷特征参数提取方法.这些特征参数包含了缺陷在硅片上的空间分布和粒径(直径)分布,它们对集成电路功能成品率仿真是重要的.
|
| 关 键 词： | 集成电路 功能成品率 参数提取 |
| 收稿时间： | 1999-03-08 |
The Method of Defect Model Parameter Extraction for IC Functional Yield Estimation |
| |
| HAO Yue,MA Pei-jun,ZHANG Wei-dong,ZHAO Tian-xu. The Method of Defect Model Parameter Extraction for IC Functional Yield Estimation[J]. Acta Electronica Sinica, 2000, 28(8): 76-78 |
| |
| Authors: | HAO Yue MA Pei-jun ZHANG Wei-dong ZHAO Tian-xu |
| |
| Affiliation: | Microelectronics Inst.of Xidian Univ.,Xi'an 710071,China |
| |
| Abstract: | Based on the double bridge structure of microelectronics test pattern,the method of defect model parameter extraction is presented in this paper.The model parameters include the parameters of defect space distribution and size distribution,which have great importance to simulate and design IC functional yield. |
| |
| Keywords: | IC functional yield parameter extraction |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《电子学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《电子学报》下载免费的PDF全文 |
|
