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| InAs量子点的原子力显微镜测试结果分析 | |
| 作者姓名： | 龚谦 梁基本 徐波 丁鼎 王占国 裘晓辉 商广义 白春礼 |
| 作者单位： | [1]中国科学院半导体研究所 [2]中国科学院化学研究所 |
| 摘 要： | 我们利用分子束外延（ＭＢＥ）技术在ＧａＡｓ（００１）衬底上生长１８个原子层的ＩｎＡｓ，形成了纳米尺寸的ＩｎＡｓ量子点．对ＩｎＡｓ量子点进行原子力显微镜（ＡＦＭ）测量，得到了量子点的高度和横向尺寸的统计分布以及量子点的测量形貌特征．并且对测量结果利用简单的模型进行了误差的分析 |
| 关 键 词： | 砷化铟 外延生长 测量 MBE技术 |
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