NROM器件位线失效分析

NROM（Nitride Read Only Memory）位线（Bit Line，BL）是通过离子注入的方式，由硅衬底掺杂形成的源极／漏极区组成，被称作埋入式位线（Buried BL）。由于衬底掺杂及其浓度分布无法直接通过扫描电子显微镜（SEM）或透射电子显微镜（TEM）剖面形貌分析的方法获得，并且单一结区形貌很难反映整个器件的特性，所以在由掺杂引起的器件失效分析过程面临很大的挑战。本文结合深亚微米NROM制程中，晶圆级电性测试（wafer accept test，WAT）参数Pt（BL到BL之间的击穿电压）和Ⅰoff（关态电流）失效分析的案例，介绍了一种新的物性失效分析方法-间接剥层的方法来显示衬底形貌，可以清晰地观察到埋入式位线的失效区域。

NROM Bit Line Failure Analysis

It is a high challenge to directly observe sub-micro NROM BL （ Bit Line ） junction profile using X-SEM and X-TEM during failure analysis. On the other hand, the single cross section of a bit line usually can＇ t reflect the device performance. In this work, based on WAT （ Wafer Accept Test ） Pt and Ⅰoff failure analysis cases study, a new failure analysis method was proposed to reveal the failure mechanism of NROM BL.