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| CMOS运算放大器在不同辐射环境下的辐照响应 | |
| 引用本文： | 陆妩,任迪远,郭旗,余学锋,范隆,张国强,严荣良.CMOS运算放大器在不同辐射环境下的辐照响应[J].核技术,1999,22(1):42-47. |
| 作者姓名： | 陆妩 任迪远 郭旗 余学锋 范隆 张国强 严荣良 |
| 作者单位： | 中国科学院新疆物理研究所,乌鲁木齐,830011 |
| 摘 要： | 介绍了ＬＦ７６５０ ＣＭＯＳ运算放大器在＾６０Ｃｏγ射线，１ＭｅＶ电子了４，７，３０ＭｅＶ不同能量质子辐照环境中的响应规律及＾６０Ｃｏγ射线和１ＭｅＶ电子辐照损伤在室温和１００℃高温条件下的退火特性，探讨了引起ＣＭＯＳ运放在不同辐射环境中辐照响应出现差异的损伤机理，并对ＣＭＯＳ运放电路在不同辐射环境中表现出的与ＣＭＯＳ数字电路不同的响应特征给予了解释。 |
| 关 键 词： | CMOS运算放大器 电离辐射 辐射损伤 |
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