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| 富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件 | |
| 摘 要： | <正>富士通半导体(上海)有限公司近日宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5 kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源单元更加紧凑。富士通半导体计划在硅基板上进行GaN功率 |
| 关 键 词： | 功率器件 半导体 富士通 氮化镓 源单元 高输出功率 转换效率 硅基 增值应用 服务器 |
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