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铜离子注入镧掺杂BaTiO3半导体陶瓷的阻抗谱研究
引用本文:王国梅 徐晓虹. 铜离子注入镧掺杂BaTiO3半导体陶瓷的阻抗谱研究[J]. 中国陶瓷, 1997, 33(5): 8-11,32
作者姓名:王国梅 徐晓虹
作者单位:武汉工业大学材料科学与工程学院,清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
基金项目:清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室资助
摘    要:本文应用宽频率范围的阻抗谱测量,分析了铜离子注入(110KeV,6×1015和1×1017ions/cm2)镧掺杂BaTiO3半导瓷在不同温度时的晶粒电阻晶界电阻和电极与材料界面电阻。提出了相应的等效电路。研究结果表明,注入剂量为6×105ions/cm2时,可以提高材料的PTCR效应。此外,也应用阻温特性测量分析了铜离子注入样品的PTCR效应。

关 键 词:钛酸钡 离子注入 阻抗谱 半导体陶瓷 掺杂

INVESTIGATION OF Cu-ION IMPIANTATION INTO La-DOPED SEMICONDUCTING BARIUM TITANATE BY IMPEDANCE MEASUREMENT
Wang Guomei Xu Xiaohong Wu Jianfeng Du Huiling. INVESTIGATION OF Cu-ION IMPIANTATION INTO La-DOPED SEMICONDUCTING BARIUM TITANATE BY IMPEDANCE MEASUREMENT[J]. China Ceramics, 1997, 33(5): 8-11,32
Authors:Wang Guomei Xu Xiaohong Wu Jianfeng Du Huiling
Abstract:
Keywords:Semiconducting barium titanate Ion implantation Ac complex impedance
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