第9届全国红外科技交流会论文摘要(5)

本文简单介绍了近年来迅速发展的8～12μmGaAs-GaAlAs多量子阱红外探测器、InAsSb和InAs-GalnSb应变超品格材料和器件、HgTe-CdTe超晶格材料的原理、特点及国外最新动态。8～12μm量子阱超晶格红外探测器材料和器件的研究和发展为实现8～12μm红外焦平面开辟了一条新途径。预计在90年代它将与HgCdTe材料和器件同样受到人们的关注和重视。