| Na掺杂P型ZnO和ZnO/ZnMgO多量子阱结构基LED的制备与室温电注入发射紫蓝光 |
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| 引用本文： | 叶志镇,林时胜,何海平,顾修全,陈凌翔,吕建国,黄靖云,朱丽萍,汪雷,张银珠,李先杭. Na掺杂P型ZnO和ZnO/ZnMgO多量子阱结构基LED的制备与室温电注入发射紫蓝光[J]. 半导体学报, 2008, 29(8) |
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| 作者姓名： | 叶志镇 林时胜 何海平 顾修全 陈凌翔 吕建国 黄靖云 朱丽萍 汪雷 张银珠 李先杭 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.9多层量子阱结构作为有源层,Na作为P型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且有效控制了缺陷发光.这项工作将为ZnO LED走向应用起到重要的推进作用.
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| 关 键 词： | LED Na掺杂 p型Zn0 ZnO/ZnMgO多量子阱 |
Room Temperature Blue-UV Electroluminescence from ZnO Light-Emitting Diodes Involving Na-Doped P-Type ZnO and ZnO/ZnMgO Multi-Quantum Wells |
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| Ye Zhizhen,Lin Shisheng,He Haiping,Gu Xiuquan,Chen Lingxiang,Lü Jianguo,Huang Jingyun,Zhu Liping,Wang Lei,Zhang Yinzhu,Li Xianhang. Room Temperature Blue-UV Electroluminescence from ZnO Light-Emitting Diodes Involving Na-Doped P-Type ZnO and ZnO/ZnMgO Multi-Quantum Wells[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 29(8) |
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| Authors: | Ye Zhizhen Lin Shisheng He Haiping Gu Xiuquan Chen Lingxiang Lü Jianguo Huang Jingyun Zhu Liping Wang Lei Zhang Yinzhu Li Xianhang |
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