| ICP等离子体刻蚀系统射频偏压的实验研究 |
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| 引用本文： | 张庆钊,谢常青,刘明,李兵,朱效立,陈宝钦.ICP等离子体刻蚀系统射频偏压的实验研究[J].半导体学报,2008,29(5). |
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| 作者姓名： | 张庆钊 谢常青 刘明 李兵 朱效立 陈宝钦 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,纳米加工与新器件集成技术实验室,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 对于上下电极双射频源的电感耦合(ICP)等离子体刻蚀设备的关键工艺参数--下电极射频偏压的变化特性进行了实验与物理定性分析.实验以氧气作为反应气体,采用可满足300mm硅晶片刻蚀的ICP刻蚀设备的射频系统进行实验数据测定.结果表明,下电极射频偏压与其他工艺参数在可适用的工艺窗口中(改变上下电极功率和气体压力)不再是平常认为的简单的比例关系,而是随着条件的改变,对应的趋势比例关系会发生转折性变化,这种变化在高上电极射频、低下电极射频功率和低气压的条件下很容易发生.
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| 关 键 词： | 等离子体 射频偏压 ICP 干法刻蚀 |
RF Bias Voltage in ICP Etch Systems |
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| Zhang Qingzhao,Xie Changqing,Liu Ming,Li Bing,Zhu Xiaoli,Chen Baoqin.RF Bias Voltage in ICP Etch Systems[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(5). |
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| Authors: | Zhang Qingzhao Xie Changqing Liu Ming Li Bing Zhu Xiaoli Chen Baoqin |
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