| 基于SiCl4/SF6的GaAs/AlAs ICP选择性干法刻蚀 |
| |
| 引用本文： | 仝召民,薛晨阳,张斌珍,王勇,张文栋,张雄文.基于SiCl4/SF6的GaAs/AlAs ICP选择性干法刻蚀[J].半导体学报,2008,29(6). |
| |
| 作者姓名： | 仝召民 薛晨阳 张斌珍 王勇 张文栋 张雄文 |
| |
| 作者单位： | 1. 中北大学电子测试技术国家重点实验室,仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原030051
2. 中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050000 |
| |
| 摘 要： | 报道了GaAs/AlAs的电感耦合等离子体(ICP)选择性干法刻蚀,刻蚀气体为SiCl4/SF6混合物.研究了在不同SiCl4/SF6气体配比、RF偏压电源功率和气室压力下,GaAs,AlAs的平均刻蚀速率与二者的选择比.合适的SiCl4/SF6气体比例(15/5sccm),低的RF偏压电源功率和高的气室压力将加强AlF3非挥发性生成物的形成,进而提高GaAs/AlAs的选择比.在SiCl4/SF6气体比例为15/5sccm,RF偏压电源功率为10W,主电源功率为500W,气室压力为2Pa时,GaAs/Al-As的选择比达1500以上.采用喇曼光谱仪对不同RF偏压电源功率和气室压力下,GaAs衬底被刻蚀面等离子体损伤进行了测试,表面形貌和被刻蚀侧壁分别采用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)进行观察.
|
| 关 键 词： | GaAS/AlAs ICP 选择性干法刻蚀 SiCl4/SF6 |
Selective Dry Etching of GaAs/AlAs Based on SiCl4/SF6 Mixtures by ICP |
| |
| Tong Zhaomin,Xue Chenyang,Zhang Binzhen,Wang Yong,Zhang Wendong,Zhang Xiongwen.Selective Dry Etching of GaAs/AlAs Based on SiCl4/SF6 Mixtures by ICP[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(6). |
| |
| Authors: | Tong Zhaomin Xue Chenyang Zhang Binzhen Wang Yong Zhang Wendong Zhang Xiongwen |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
