| 一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器的研制 |
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| 引用本文： | 杨伟锋,蔡加法,张峰,刘著光,吕英,吴正云.一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器的研制[J].半导体学报,2008,29(3). |
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| 作者姓名： | 杨伟锋 蔡加法 张峰 刘著光 吕英 吴正云 |
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| 作者单位： | 1. 厦门大学物理系,厦门,361005
2. 厦门大学物理系,厦门,361005;厦门大学萨本栋微机电中心,厦门,361005 |
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| 摘 要： | 采用Ni/Au作为肖特基接触制备了一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了阵列器件的Ⅰ-Ⅴ、光谱响应特性.结果表明,阵列探测器性能均匀性好,击穿电压均高于100V.阵列中单器件暗电流小,在偏压为20V的时候,最大暗电流均小于5pA(电流密度为5nA/cm2),光电流比暗电流高3个数量级以上.其光谱响应表明,单器件在电压为20V时的响应度约为0.09A/W,比400nm时的比值均大5000倍,说明探测器具有良好的紫外可见比.
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| 关 键 词： | 4H-SiC 金属-半导体-金属 一维阵列 响应度 |
Fabrication of 4H-SiC MSM Photodiode Linear Arrays |
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| Yang Weifeng,Cai Jiafa,Zhang Feng,Liu Zhuguang,Lü Ying,Wu Zhengyun.Fabrication of 4H-SiC MSM Photodiode Linear Arrays[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(3). |
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| Authors: | Yang Weifeng Cai Jiafa Zhang Feng Liu Zhuguang Lü Ying Wu Zhengyun |
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