| ZnSe为发光层的蓝绿光薄膜电致发光器件的发光性能 |
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| 引用本文： | 姜薇薇,赵谡玲,张福俊,徐征. ZnSe为发光层的蓝绿光薄膜电致发光器件的发光性能[J]. 半导体学报, 2008, 29(4) |
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| 作者姓名： | 姜薇薇 赵谡玲 张福俊 徐征 |
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| 作者单位： | 北京交通大学光电子技术研究所,北京,100044;发光与光信息技术教育部重点实验室,北京,100044 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金，北京市自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用具有电子加速能力的Si02代替传统夹层结构中的绝缘层,利用电子束蒸发的方法制备了结构为ITO/SiO2/ZnSe/SiO2/Al的电致发光器件,观察到了传统夹层结构所没有的ZnSe层电致发光.测量了器件的电致发光光谱及总发光强度随着驱动电压及驱动频率的变化关系.讨论了器件的发光机理,认为是初电子经过SiO2层加速,获得较高能量,然后碰撞ZnSe分子,将其价带的电子激发到导带,再跃迁回价带或缺陷能级与空穴复合发光.由于这种发光方式类似于阴极射线发光,只不过电子在固体中而不是真空中加速,所以称之为固态阴极射线发光.这种机理为实现蓝色电致发光提供了新的途径.
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| 关 键 词： | ZnSe蓝色发光 电致发光 固态阴极射线发光 |
Luminescence Characteristics of a Blue-Green Emission Thin Film Electroluminescence Device Based on a ZnSe Emitting Layer |
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| Jiang Weiwe,Zhao Suling,Zhang Fujun,Xu Zheng. Luminescence Characteristics of a Blue-Green Emission Thin Film Electroluminescence Device Based on a ZnSe Emitting Layer[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 29(4) |
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| Authors: | Jiang Weiwe Zhao Suling Zhang Fujun Xu Zheng |
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